半導(dǎo)體光刻設(shè)備市場規(guī)模及份額

更新時(shí)間：2024-11-14

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全球電子設(shè)備市場持續(xù)擴(kuò)大，支撐其的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變得越來越重要。盡管2019年全球半導(dǎo)體市場經(jīng)歷了負(fù)增長，但盡管過去經(jīng)歷過雷曼沖擊，但仍持續(xù)擴(kuò)張。近年來，存儲(chǔ)器的技術(shù)發(fā)展從微型化轉(zhuǎn)向3D技術(shù)，刻蝕技術(shù)的重要性日益增加。

截至2018年，半導(dǎo)體光刻設(shè)備的市場規(guī)模為10852億日元。

按消費(fèi)地區(qū)劃分，韓國以 36% 排名di一，其次是中國臺(tái)灣地區(qū)（19%），第三位是中國大陸（18%），第四位是美國（14%），第五位是日本（7%）。半導(dǎo)體光刻設(shè)備廠商按國籍劃分的市場fen e （2018年）為歐洲（84%）、日本（14%）和美國（2%），其中歐洲和日本幾乎形成寡頭壟斷。

關(guān)于EUV曝光設(shè)備

EUV（Extreme Ultraviolet的縮寫）曝光設(shè)備是一種使用被稱為極紫外光的極短波長光的半導(dǎo)體曝光設(shè)備。可以加工使用ArF準(zhǔn)分子激光的傳統(tǒng)曝光設(shè)備難以加工的更精細(xì)尺寸。

半導(dǎo)體小型化正在按照摩爾定律進(jìn)展（半導(dǎo)體集成電路的集成度和功能將在三年內(nèi)提高四倍）。到目前為止，通過稱為步進(jìn)器的縮小投影曝光技術(shù)、更短的曝光波長和浸沒式曝光技術(shù)的開發(fā)，分辨率已得到顯著提高。

小型化是指晶圓上可印刷的最小加工尺寸變得更小，最小加工尺寸R由下面的瑞利方程表示。

　R=k·λ/NA *k為比例常數(shù)，λ為曝光波長，NA為曝光光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑

通過各種技術(shù)的發(fā)展，通過減小k、減小λ和增大NA來實(shí)現(xiàn)小型化。

EUV曝光設(shè)備是一種可以通過縮短曝光波長來突破以往限制的技術(shù)，近年來已開始量產(chǎn)。

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